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“高压MOS场效应管”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 类型： | 耗尽型MOS管(N沟道) |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | 封装外形： | CHIP/小型片状 |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | 导电方式： | 耗尽型 |
| 型号： | HMS11N60/F/D | 规格： | TO-92/TO-251/TO-252/ |
| 产量： | 5000000 |
“高压MOS场效应管”详细介绍
|
型号 |
类型 |
V(BR) DSS |
VGS |
VGS (th) |
ID25ºC |
IDM25ºC |
RDS(on) @VGS=10V |
PD25ºC |
封装形式 |
代替型号 |
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PTR/U/D/ F1N60 |
N沟道 |
600V |
30V |
4V |
0.4A 1A |
2.5A |
8.5Ω |
3W 30W |
TO-92/TO-251/TO-252/TO-220F |
FQP1N60/FQN1N60/ UTC1N60/STP1N60 |
PTR/U/D/F1N60.pdf |
|
PTU/D2N60 |
N沟道 |
600V |
30V |
4V |
1.8A 2A |
6A |
5Ω |
45W 54W |
TO-251/TO-252/ TO-220/TO-220F |
FQP2N60/FQN2N60/ UTC2N60/STP2N60/ 2SK3067 |
PTU/D2N60.pdf |
|
PTP/F2N60 |
N沟道 |
600V |
30V |
4V |
1.8A 2A |
6A |
5Ω |
45W 54W |
TO-251/TO-252/ TO-220/TO-220F |
FQP2N60/FQN2N60/ UTC2N60/STP2N60/ 2SK3067 |
PTP/F2N60.pdf |
|
PTU/D/P/ F2N65 |
N沟道 |
650V |
30V |
4V |
1.8A 2A |
6A |
5Ω |
45W 54W |
TO-251/TO-252/ TO-220/TO-220F |
FQP2N65/FQN2N65/ UTC2N65/STP2N65/ 2SK3067 |
PTU/D/P/F2N65.pdf |
|
PTD4N60 |
N沟道 |
600V |
30V |
4V |
2.8A 4A |
11.2A |
2.5Ω |
33W 49W |
TO-251/TO-252/ TO-220/TO-220F |
FQP4N60/FQN4N60/ UTC4N60/STP4N60 |
PTD4N60.pdf |
|
PTU4N60 |
N沟道 |
600V |
30V |
4V |
2.8A 4A |
11.2A |
2.5Ω |
33W 49W |
TO-251/TO-252/ TO-220/TO-220F |
FQP4N60/FQN4N60/ UTC4N60/STP4N60 |
PTU4N60.pdf |
|
PTF4N60 |
N沟道 |
600V |
30V |
4V |
2.8A 4A |
11.2A |
2.5Ω |
33W 49W |
TO-251/TO-252/ TO-220/TO-220F |
FQP4N60/FQN4N60/ UTC4N60/STP4N60 |
PTF4N60.pdf |